1、外殼地如果不穩定或者有靜電之類的，如果與電路板地直接連接，就會打壞電路板芯片，加入電容，就能把低頻高壓，靜電之類的隔離起來，保護電路板。電路高頻干擾之類的會被電容直接接外殼，起到了隔直通交的功能。
2、那為什么又加一個1M的電阻呢？這是因為，如果沒有這個電阻，電路板內有靜電的時候，與大地連接的0.1uF的電容是隔斷了與外殼大地的連接，也就是懸空的。這些電荷積累到確定程度，就會出問題，需要與大地連接才行，所以這里的電阻用于放電。
金屬外殼的結構設計要求和快速發展{一}、金屬外殼的結構設計要求
TR組件目前常用的高功率發熱芯片主要有GaAs，GaN和LTCC，其中典型的整體金屬外殼TR組件的幾乎都為封閉式盒體結構。GaAs，GaN芯片直接或間接(有過渡層)焊接在殼體上，然后和印制板進行鍵合，然后整個盒體進行密封裝。
該種形式TR的氣密封裝形式簡便，但是厚度受限，一般不低于5mm。我所目前常用微波、毫米波TR組件主要是Ku，K，Ka頻段，半波長在5~11毫米。當TR組件的厚度受限時，就采用局部氣密封裝的形式，將天線和TR做成LTCC然后將LTCC焊接在TR背板上，對LTCC進行局部氣密封。
相控陣毫米波導引頭TR組件由于厚度受限，設計采用局部氣密封裝方式。相控陣毫米波導引頭天線的間距為9mm，TR組件封裝外殼典型結構為間距9mm的磚式結構。雙面焊接LTCC基板，單面焊接2片，該TR背板上要同時集成LTCC及收發電路，中間還有部分波導，尺寸小，器件集成度高，安裝定位要素多，精度要求高。該TR背板不僅是所有元器件的安裝載體，也是整個TR抵抗環境應力破壞的基體，對設計該背板的材料除應與LTCC進行熱匹配外，還應有足夠的強度抵抗沖擊、振動等環境因素的破壞。
為了與芯片的熱膨脹系數相匹配以減少工作時芯片受熱應力破壞的可能，應根據芯片的熱膨脹系數選擇與之相近的硅鋁合金復合材料，硅鋁合金復合材料的導熱系數目前外洋有5，6，7，9，11，13，15，17等規格，國內廠家的產品還不能全部覆蓋外洋的規格。由于加工性能和采購周期的限制，結合對國內相關使用情況的調研結果，對膨脹系數為9和11兩種規格的材料進行了相關的驗證。從試驗結果來看，膨脹系數為9和11的硅鋁合金復合材料材料LTCC封裝的TR組件殼體的要求
除上述電路總體要求外，由于相控陣毫米波導引頭項目TR組件外殼采用新型封裝材料硅鋁合金復合材料為基體材料，因其高脆性特點，結合氣密封裝性與環境適應性要求，結構設計需保護其加工工藝性、鍍覆性能、焊接性能以及使用性能等。
{二}、蝶形微波器外殼的快速發展
蝶形微波器殼體因其低膨脹、低密度、高導熱、高氣密及良好的機械加工性能與電鍍性能，成為小型化、輕量化、密度好組裝化電子封裝設備封裝外殼的較佳制備材料。外洋對于硅鋁合金復合材料的機械加工、鍍覆、焊接性能與工藝技術研究比較成熟，硅鋁合金復合材料己深受廣泛應用。雖然國內對于硅鋁合金復合材料的研究起步較晚，無相關標準、規范體系支撐，但迫切的需求推動了材料制備技術研究的快速發展。目前，國內己具備硅鋁合金復合材料噴射成形自主生產能力，硅鋁合金復合材料生產線，均設備研究了噴射沉積生產工藝，并申報專利。隨著硅鋁合金復合材料在小型化、輕量化、密度好組裝化的電子產品上的陸續應用，將帶動硅鋁合金復合材料制備、機械加工、鍍覆、焊接等技術的發展，為硅鋁合金復合材料工程化應用奠定堅實的技術基礎。
滄州恒熙電子有限責任公司（http://www.hengxidianzi.com）主營多種不同型號的晶振外殼、電源外殼、金屬封裝外殼，配備鍍金、鍍鎳、鍍錫、電泳漆、陽極氧化等表面處理加工車間、全部實現本廠自主生產加工能、縮短交期等問題。產品遠銷北京、上海、廣州、深圳、西安、等地。