脫碳已經(jīng)成為業(yè)界的趨勢，在我國雙碳政策下，也即“碳達(dá)峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏發(fā)電逐漸成為矚目的焦點(diǎn)，傾佳電子持續(xù)提供高品質(zhì)功率半導(dǎo)體新能源汽車連接器，在新能源汽車電控，充電樁，汽車OBC，新能源發(fā)電，工商業(yè)儲能變流器，電動(dòng)汽車電機(jī)主驅(qū)，光伏逆變器，儲能變流器PCS，工業(yè)電源等領(lǐng)域與客戶深入合作，持續(xù)服務(wù)客戶的供應(yīng)鏈及新產(chǎn)品開發(fā)，全力支持中國新能源汽車及電力電子工業(yè)發(fā)展！
近年來，傾佳電子-著力推廣國產(chǎn)碳化硅SiC功率器件，國產(chǎn)SiC-MOSFET，國產(chǎn)SiC-MOSFET功率模塊，國產(chǎn)氮化鎵GaN HEMT以及配套的隔離驅(qū)動(dòng)IC，自舉驅(qū)動(dòng)IC,不斷在高壓汽車電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充樁、消費(fèi)電子適配器，數(shù)據(jù)中心、通訊基站電源、新型電力系統(tǒng)等領(lǐng)域拓展市場。除了車載應(yīng)用，SiC碳化硅的替代IGBT方案開始在工業(yè)的UPS系統(tǒng)（不間斷電源）、軌道交通等領(lǐng)域推出。傾佳電子-專業(yè)功率半導(dǎo)體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷的元器件在電力電子領(lǐng)域，在功率器件方面發(fā)揮重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展趨勢，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高結(jié)溫特性、高頻特性要求，也對現(xiàn)有封裝技術(shù)提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗方面的出色性能，可以大大降低電力電子方面應(yīng)用的能耗。
隨著汽車越來越智能化，對于連接器在未來的智能汽車上，絕不會僅僅作為一個(gè)電連接點(diǎn)進(jìn)行傳輸，這個(gè)和傳統(tǒng)汽車會有非常本質(zhì)上的區(qū)別， 未來的連接器有可能會變成模塊化，其功能會隨著不同的汽車部位應(yīng)用場景，功能也會有所不同；同時(shí)智能駕駛的出現(xiàn)會讓連接對于傳輸?shù)姆€(wěn)定性變成強(qiáng)制條件，對于電性能的可靠性，以及其他性能都會提到更高一個(gè)要求等級；傾佳電子-專業(yè)代理的汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN引導(dǎo)電源技術(shù)轉(zhuǎn)向新的高功率密度和效率、高耐熱性能的解決方案，以減少導(dǎo)通損耗和碳排放。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長期的業(yè)界節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在很多電力電子應(yīng)用場景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。
智能駕駛系統(tǒng)需要將超聲波雷達(dá)、毫米波雷達(dá)、攝像頭、激光雷達(dá)、網(wǎng)關(guān)、VCU、天線、GPS、5G 通信等進(jìn)行互連。隨著高級別ADAS的滲透率快速提升，車載傳感器用量增加，數(shù)據(jù)傳輸要求(高速高頻大數(shù)據(jù)量)相應(yīng)提高，智能網(wǎng)聯(lián)連接器使用量也隨之增長。換電連接器有望成為行業(yè)標(biāo)配，一方面因?yàn)閾Q電模式電動(dòng)車滲透率的提升，另一方面對于非換電模式的電動(dòng)車廠家采用換電方案將實(shí)現(xiàn)車電分離，有利于后期電池的升級、維護(hù)和回收。未來大量電動(dòng)車電池淘汰后，有望進(jìn)入儲能領(lǐng)域進(jìn)行二次利用，建立統(tǒng)一的連接器接口標(biāo)準(zhǔn)成為行業(yè)的重點(diǎn)。非補(bǔ)能形式的換電方案的車型將越來越多，未來成為行業(yè)標(biāo)配。
為了提高補(bǔ)能效率，大功率快充成為各車企的研發(fā)重點(diǎn)。相較于400V架構(gòu)，切換800V架構(gòu)能夠使充電時(shí)間減少一半。從400V增至 800V對連接器的可靠性、體積和電氣性能提出了更高要求，其在機(jī)械性能、電氣性能、環(huán)境性能三方面均將持續(xù)提升。升壓后，高壓連接器將重新選型，增加大功率快充接口及400V到800V的轉(zhuǎn)化接口，帶動(dòng)高壓連接器單車價(jià)值量上升。要構(gòu)建800V高壓平臺，碳化硅功率器件是關(guān)鍵。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有出色的耐高壓性能，并能有效提高系統(tǒng)的整體效率，達(dá)到5%至10%的增幅——即同等電池容量，配備碳化硅器件的汽車?yán)m(xù)航里程可提高5%到10%。此外，同等性能的碳化硅器件尺寸約為硅器件的1/10，因而它還能降低電驅(qū)系統(tǒng)的體積和重量，從而釋放更多車輛內(nèi)部空間。盡管 SiC MOSFET 本身成本較高，但會看到整個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)的價(jià)格下降（通過減少布線、無源元件、熱管理等），并且與 Si IGBT 系統(tǒng)相比總體上可能更便宜。這種成本節(jié)省可能需要在兩個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)之間進(jìn)行復(fù)雜的設(shè)計(jì)和成本研究分析，但可能會提高效率并節(jié)省成本。
新能源汽車三電內(nèi)部動(dòng)力電流及信息電流錯(cuò)綜復(fù)雜，同時(shí)又因汽車領(lǐng)域特殊的安全性要求，對連接器性能側(cè)重點(diǎn)為高電壓、大電流、抗干擾等電氣性能，并且需要具備機(jī)械壽命長、抗振動(dòng)沖擊等長期處于動(dòng)態(tài)工作環(huán)境中的良好機(jī)械性能。
在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下，融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲能管理技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品，傾佳電子全面服務(wù)于中國新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統(tǒng)，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統(tǒng)，全液冷超充，高功率密度風(fēng)冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標(biāo)充電樁，車載DCDC模塊，國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲，智能組串式儲能等行業(yè)應(yīng)用，傾佳電子為實(shí)現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗，從而為實(shí)現(xiàn)一個(gè)零碳地球做出貢獻(xiàn)，邁向數(shù)字能源新時(shí)代！