為什么在工業變頻器中SiC碳化硅MOSFET會逐步取代IGBT！
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅工業變頻器！-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統IGBT工業變頻器，實現更高的通用變頻器高功率密度，通用變頻器高溫環境應用！通用變頻器低電機噪聲控制！取得通用變頻器能耗與性能的最優權衡！

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!


基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于工業變頻器應用，比如通用變頻器、專用變頻器、電梯變頻器等。

雖然傳統IGBT器件在其低損耗，高開關頻率，高功率密度特征上持續提升，但是由于自身特點的限制，在部分溫度高，安裝體積緊湊，電機電磁噪聲敏感的工業傳動場合，已無法適應高功率密度、高溫環境、低電機噪聲控制的應用要求，在一定程度上IGBT進入發展瓶頸期。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已經成為行業潮流!
SiC碳化硅MOSFET工業變頻器支持開環矢量和閉環矢量兩種控制方式，載波頻率達到100kHz, 輸出頻率達到10kHz，采用電機諧波電流控制技術，優化轉矩脈動控制，實現更低電機轉矩脈動及電機電磁噪聲，DPWM /CPWM智能切換動態載波調制，可以取得能耗與性能的最優權衡。功率器件死區時間控制方面，偉創變頻器最小死區時間控制在300ns左右，大幅提升輸出電壓利用率提升10%。
SiC碳化硅MOSFET通用變頻器全功率段采用碳化硅單管及碳化硅單管并聯方案，以獨特軟/硬件配合動態控制方法，實現單管之間有效均流，在碳化硅MOSFET功率器件異常情況（過流，短路）下快速保護，通過對變頻器中SiC碳化硅MOSFET功率器件驅動參數優化，器件與結構布局優化，解決變頻器實際使用過程中（由于SiC碳化硅MOSFET高dv/dt產生的變頻器自身及配套使用設計）的電磁干擾問題.
SiC碳化硅MOSFET變頻器可以通過提高運行載波，節省輸出濾波裝置或縮小電機體積等方式，有效改善現有高速電機驅動產品的痛點。隨著高速空浮、磁浮電機的應用普及，SiC碳化硅MOSFET變頻器憑借技術的優勢將迅速占領該類產品應用市場。

VVVF變頻、矢量控制變頻、直接轉矩控制變頻都是交—直—交變頻中的一種。其共同缺點是輸入功率因數低，諧波電流大，直流電路需要大的儲能電容，再生能量又不能反饋回電網，即不能進行四象限運行。為此，矩陣式交—交變頻應運而生。由于矩陣式交—交變頻省去了中間直流環節，從而省去了體積大、價格貴的電解電容。它能實現功率因數為1，輸入電流為正弦且能四象限運行，系統的功率密度大。
矩陣變頻具有較大優勢:一方面矩陣變換器沒有儲能元件,體積可以比同樣容量的兩級結構變流器小;另一方面矩陣變頻不需要電解電容器,也就不需要考慮電解電容壽命問題。

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET開發高功率密度變頻器，除通用變頻器一般驅動功能外，同時具備通用變頻器高電力品質、能量回生、高功率密度三個特性。
采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器為了挑戰降低諧波、改善功因及提升功率密度，具有下列關鍵技術
1. 高頻SiC碳化硅MOSFET驅控電路技術，提升矩陣變頻器頻率由(8kHz-->50kHz)。
2. 改善電力品質，采用DMCSVM換動態載波調制，降低諧波(33%-->7%)，減少電力損失。
3. 改善功率因數(0.75-->0.98)，提升電力線上所有設備的壽命。
4. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器具有雙向能量轉換特性，電機煞車時，可將能量直接回饋至電網，節能效果提升20%以上，采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器在電梯應用能量回生達65%。
5. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器小型化功率底座、散熱及一體化設計，整機功率密度可達4kW/L，充分響應節能減排。

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率器件的高效、高可靠性變頻器，擺脫長期以來依賴于國外器件供應商的產業瓶頸，實現碳化硅MOSFET功率器件的國產化替代貢獻自己的行業力量。

IGBT芯片技術不斷發展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優化），同時保持最高結溫低于最大規定值。

未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術的主要發展方向，體現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。
為此，BASiC?基本公司研發推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業變頻器、逆變焊機、四象限工業變頻器等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。

為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC?基本公司基于第二代SiC MOSFET技術平臺開發推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點。
針對新能源汽車的應用需求，BASiC?基本公司研發推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。
B3M040120Z是BASiC?基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術平臺開發的最新產品，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性方面有更進一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC?基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業級全碳化硅半橋功率模塊，產品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC?基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術開發的頂部散熱內絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調壓縮機和工業電源中。
BASiC?基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350系列，此驅動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅動MOSFET、IGBT等功率器件。


為了保持電力電子系統競爭優勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

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