專業分銷全碳化硅MOSFET模塊，Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊，62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊，Full SiC Module，SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁，V2G充電樁，高壓柔性直流輸電智能電網(HVDC)，空調熱泵驅動，機車輔助電源，儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機，超高頻伺服驅動器，高速電機變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓撲逆變模塊。儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，光儲碳化硅MOSFET。
再度亮相全球功率半導體展會——PCIM Europe 2023，在德國紐倫堡正式發布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代產品性能大幅提升，產品類型進一步豐富，助力新能源汽車、直流快充、光伏儲能、工業電源、通信電源等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。
碳化硅MOSFET具有優秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領域最受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統效率及功率密度，降低系統綜合成本。
第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發，比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產品基礎上，還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。
第二代碳化硅MOSFET亮點
更低比導通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升。
更低器件開關損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產品可靠性表現出色。
更高工作結溫：第二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C，提高器件高溫工作能力。
第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M035120YP，B2M020120H，B2M020120Z，B2M020120R，B2M1000170H，B2M1000170Z，B2M1000170R，B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M030120Z國產替代英飛凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z國產替代英飛凌IMYH200R024M1H。
B2M035120YP，B2M040120Z國產替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。
B2M020120Z國產替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
B2M1000170R國產代替英飛凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國產代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產代替英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A
NPC（Neutral Point Clamped）三電平拓撲結構是一種應用為廣泛的多電平拓撲結構。近年來隨著電力電子技術在電力行業的發展，NPC三電平技術開始越來越多的應用到各個領域，包括光伏逆變器、風電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應用。NPC拓撲常用的有兩種結構，就是我們常說的“I”字型（也稱NPC1）和“T”字型（也稱NPC2、MNPC、TNPC、NPP等）。另外ANPC也是一種NPC1的改進型，這些年隨著器件的發展，ANPC也開始有一些適合的應用。
在分時電價完善、峰谷電價差拉大、限電事件頻發等多重因素驅動下，工商業儲能的經濟性明顯提升。工商業儲能是用戶側儲能系統的主要類型之一，可以大化提升光伏自發自用率，降低工商業業主的電費開支，助力企業節能減排。
工商業儲能裝機有望在政策鼓勵、限電刺激、電價改革等利好因素刺激下進入高速增長期，復合增速有望持續飆升。