傾佳電子作為基本半導(dǎo)體（BASiC Semiconductor）授權(quán)的一級代理商與核心戰(zhàn)略合作伙伴，始終致力于為中國及全球的電力電子客戶提供世界頂級的碳化硅（SiC）全產(chǎn)業(yè)鏈解決方案。我們在蘇州設(shè)立分支機構(gòu)，正是為了更好地貼近華東這一中國電力電子創(chuàng)新的核心腹地，為您提供從前沿技術(shù)選型、產(chǎn)品級3D/熱力學(xué)仿真到定制化驅(qū)動設(shè)計的全方位服務(wù)。

行業(yè)正迎來深刻的變革，我們堅信碳化硅領(lǐng)域的“三個必然” ：SiC模塊必然全面替代IGBT，SiC分立器件必然全面替代高壓硅基MOSFET，SiC必然全面替代GaN與超結(jié)（SJ）MOSFET。同時，我們也將“死磕固變（SST）”與“死磕固斷（SSCB）”作為我們在先進拓撲應(yīng)用上的核心技術(shù)死角突破方向。

為了幫助您在接下來的高頻、高壓、高功率密度產(chǎn)品研發(fā)中搶占先機，我為您系統(tǒng)梳理了我們目前可提供的全線碳化硅核心器件及配套驅(qū)動方案與典型應(yīng)用場景：

一、 核心產(chǎn)品全景：從芯片、模塊到驅(qū)動的“交鑰匙”方案

1. 工業(yè)級全碳化硅功率模塊（SiC MOSFET Modules）

采用基本半導(dǎo)體第三代高性能碳化硅芯片技術(shù)，引入高性能 Si3N4 AMB陶瓷基板和高溫焊料，集成NTC溫度傳感器，支持Press-Fit壓接與焊接工藝，具備極低的開關(guān)損耗與卓越的高溫 RDS(on) 表現(xiàn)。

34mm 半橋模塊：主推型號 BMF80R12RA3（1200V/80A）。極致緊湊，適合高頻高功率密度應(yīng)用。
62mm 半橋模塊：主推型號 BMF540R12KHA3（1200V/540A）。14nH極低雜散電感設(shè)計，帶Cu基板。
EconoDual? 3 (ED3) 半橋模塊：主推型號 BMF540R12MZA3（1200V/540A）。行業(yè)標準封裝直接升級SiC的首選。
Pcore?2 E1B/E2B 模塊：BMH027MR07E1G3 (650V/27mΩ)、BMF011MR12E1G3 (1200V/11mΩ)、BMF008MR12E2G3 (1200V/8.1mΩ)、BMF240R12E2G3 (1200V/5.5mΩ)。
工業(yè)級全碳化硅功率模塊

依托先進的封裝工藝與極低的雜散電感設(shè)計，全碳化硅功率模塊是實現(xiàn)高頻、高功率密度變換器的核心心臟。

涵蓋所有型號：

BMH027MR07E1G3、BMF011MR12E1G3、BMF008MR12E2G3、BMF240R12E2G3、BMF540R12MZA3、BMF160R12RA3、BMF120R12RB3、BMF80R12RA3、BMF60R12RB3、BMF540R12KHA3、BMF240R12KHB3、BMF360R12KHA3、BMS065MR12EP2CA2、BMCS002MR12L3CG5、BMZ0D60MR12L3G5 。

2. 碳化硅分立器件（SiC Discretes）

基于6英寸晶圓平臺，擁有卓越的FOM (RDS(ON)×QG)，滿足各種散熱與空間限制需求。

SiC MOSFET（B3M/B2M系列） ：覆蓋650V/1200V。提供豐富的封裝形式，包括傳統(tǒng)插件式 TO-247-3/4 (含長/細腳版)、TO-220，以及先進貼片式 TOLL、TOLT（頂部散熱）、TO-263-7、TO-252、QDPAK。代表型號：B3M040120Z, B3M025065H 等。同時提供車規(guī)級系列（AB3M/AB2M）。
混合碳化硅器件（BGH系列） ：將傳統(tǒng)硅IGBT與碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）合封。代表型號：BGH50N65HF1, BGH75N65HS1。在特定成本約束下實現(xiàn)開通損耗與反向恢復(fù)性能的最佳平衡。
碳化硅肖特基二極管（B3D系列） ：覆蓋400V/650V/1200V。包含 B3D120040HC, B3D04065KF, B3D10120H 等，涵蓋TO-247、TO-220、TO-252、TO-263等封裝，VF極低。碳化硅MOSFET（工業(yè)級與車規(guī)級）
覆蓋650V至1700V全電壓段，提供從傳統(tǒng)插件到先進貼片（TOLL、TOLT、QDPAK等）的極豐富封裝選擇，全面滿足嚴苛的空間與熱力學(xué)設(shè)計需求。

涵蓋所有型號：

B3M025065H、B3M025065L、B3M025065Z、B3M025065B、B3M025065R、AB3M025065CQ、AB3M025065C、B3M040065L、B3M040065B、B3M040065H、B3M040065Z、B3M040065R、AB3M040065C、B3M008C075Z*、B3M010C075Z、B3M010C075H、B3M025075Z*、B3M040075Z*、B3M006C120Y*、B2M011120HK、B3M011C120H、B3M011C120Y、B3M011C120Z、B3M013C120H、B3M013C120Z、B2M015120N、B3M020120H、B3M020120ZL、B3M020120ZN*、B2M030120Z、B2M030120H、B2M030120R、B2M030120N、B3M035120H、B3M035120ZL*、B3M035120ZN*、B3M040120H、B3M040120R、B3M040120Z、B3M040120ZL、B3M040120ZN、AB3M040120CQ*、B2M040120Z、AB2M040120Z、B2M040120H、B2M040120R、AB2M040120R、B2M040120T、B2M065120T、B2M065120Z、B2M065120H、B2M065120R、B2M080120Z、B2M080120ZL、AB2M080120Z、B2M080120H、AB2M080120H、B2M080120R、AB2M080120R、B2M160120Z、B2M160120H、B2M160120R、B3M010140Y、B3M020140ZL、B3M042140Z、B2M600170R、B2M600170H、B2M600170HH 。

碳化硅肖特基二極管

具備零反向恢復(fù)電流特性，顯著降低系統(tǒng)電磁干擾并提升全工況效率。

涵蓋所有型號：

B3D120040HC、B3D04065KF、B3D04065E、B3D04065K、B3D04065KS、B3D06065K、B3D06065KS、B3D06065KF、B3D06065E、B3D08065K、B3D08065KS、B3D08065E、B3D10065K、B3D10065KF、B3D10065KS、B3D10065E、B3D10065F、B3D20065TF、B3D20065HC、B3D20065H、B3D20065K、B3D20065F、B3D30065H、B3D40065HC、B3D40065H、B3D50065H、B3D60065HC、B3D60065H2、B3DM060065N、B3D80065HC、B3D80065H2、B2D02120E1、B3D03120E、B3D05120K、B3D05120E、B3D10120HC、B3D10120H、B3D10120E、B3D10120K、B3D10120F、B3D15120H、B3D20120HC、B3D20120F、B3D20120H、B3D25120H、B3D30120H、B3D30120HC、B3D40120H2、B5D40120H、B3D40120H、B3D40120HC、B3D50120H、B3D50120H2、B3D60120H2、B3D60120HC、B3DM060120N、B3D80120H2、B3D80120HC、B3D80120W、B3DM080120N、B3DM100120N、B3D30140H、B3D40140H、B3D60140HC、B3D60140H2、B3D80140H2、B3D40200H 。

混合碳化硅分立器件

傳統(tǒng)硅基IGBT與碳化硅二極管的完美合封，是在特定成本約束下實現(xiàn)開通損耗與反向恢復(fù)性能最佳平衡的利器。

涵蓋所有型號：

BGH50N65HF1、BGH50N65HS1、BGH50N65ZF1、BGH75N65HS1、BGH75N65HF1、BGH75N65ZF1、BGH40N120HS1、BGH75N120HF1 。

3. 專業(yè)碳化硅門極驅(qū)動與隔離芯片（Bronze Technologies & BASiC IC）

好馬配好鞍，青銅劍技術(shù)（基本半導(dǎo)體全資子公司）為您提供最懂SiC的即插即用驅(qū)動板與核心ASIC。

即插即用驅(qū)動板：

2CP0220T12-ZC01：適配62mm SiC模塊的雙通道驅(qū)動，峰值電流±20A，5000Vac絕緣耐壓，集成有源鉗位與VDS短路保護。
2CP0225Txx 系列：專為ED3封裝模塊設(shè)計，單通道峰值電流±25A，驅(qū)動功率2W，最高支持1700V應(yīng)用，集成軟關(guān)斷與米勒鉗位。
I型三電平驅(qū)動板：適配NPC1與ANPC多并聯(lián)拓撲（主板+門極板架構(gòu)），單通道峰值驅(qū)動電流高達60A，無CPLD高可靠性設(shè)計。
34mm驅(qū)動參考設(shè)計（BSRD-2427） 。
青銅劍技術(shù)（基本半導(dǎo)體全資子公司）深耕功率驅(qū)動十余年，為您提供從通用驅(qū)動核到適配各類主流模塊封裝的即插即用門極驅(qū)動板，完美解決IGBT與碳化硅（SiC）模塊的高效、高可靠性驅(qū)動難題。

涵蓋所有驅(qū)動器型號矩陣：

即插即用型驅(qū)動板（Plug-and-Play Boards）

適配 62mm 封裝模塊：2CP0220T12-ZC01（雙通道，集成有源鉗位與短路保護）、2CP0115T12 系列等。

適配 EconoDUAL? 3 (ED3) 封裝模塊：2CP0225T12、2CP0225T17、2CP0420T12 系列（集成軟關(guān)斷與米勒鉗位，最高支持1700V應(yīng)用）。

適配 PrimePACK? / 寬體大功率模塊：2CP0420T17、2CP0620T17 等高壓大功率系列。

適配 34mm 與 Easy 系列模塊：基于 BSRD-2427-ES01、BSRD-2423-ES01 等專用大電流輸出的碳化硅驅(qū)動板參考設(shè)計。

特定拓撲定制驅(qū)動板：I型三電平驅(qū)動板（專為NPC1/ANPC等多并聯(lián)拓撲設(shè)計，主板+門極板架構(gòu)，單通道峰值電流高達60A）。

通用型門極驅(qū)動核（Driver Cores）

單通道驅(qū)動核：1CD0214T17 等系列（設(shè)計緊湊，支持1700V以內(nèi)大容量單管及模塊）。

雙通道驅(qū)動核：2D0115T12、2CD0115T12、2D0420T12、2D0420T17 等系列大功率通用門極驅(qū)動核。

隔離電源模塊與組件

Q15P2XXYYD 系列單通道/雙通道大功率隔離電源模塊、TR-P15DS23-EE13 等驅(qū)動器專用隔離電源變壓器。

驅(qū)動器深度匹配應(yīng)用場景：

新能源發(fā)電：風(fēng)力發(fā)電全功率變流器、大功率集中式與組串式光伏逆變器。

智能電網(wǎng)與電能質(zhì)量：靜止無功發(fā)生器（SVG）、有源電力濾波器（APF）、柔性交流輸電系統(tǒng)（FACTS）、先進能量路由器/固態(tài)變壓器（SST）與直流微網(wǎng)固態(tài)斷路器（SSCB）。

高端工業(yè)與儲能裝備：兆瓦級工商業(yè)儲能變流器（PCS）、大功率高頻感應(yīng)加熱、高端全數(shù)字電焊機、中高壓大功率變頻器、大型數(shù)據(jù)中心高頻UPS電源。

交通運輸：軌道交通牽引變流器、機車輔助電源、電動汽車超級充電樁（MCS/兆瓦級快充）。

集成電路芯片（BTD系列） ：

門極隔離驅(qū)動IC：BTD5350Mx / BTD25350x / BTD3011R 等。專為SiC MOSFET設(shè)計的副方帶米勒鉗位功能、驅(qū)動輸出峰值電流可達10A的SOP-8/SOW-16芯片，解決高dv/dt下的串擾誤開通難題。
隔離變壓器（TR-P15DS23-EE13等）。集成電路芯片（含門極隔離驅(qū)動與電源芯片）
解決高dv/dt工況下的米勒串擾誤開通難題，為您提供最懂SiC的即插即用核心控制能力。

涵蓋所有型號：

BTD3011R、BTD5350MBPR、BTD5350MCPR、BTD5350MBWR、BTD5350MCWR、BTD5350SBPR、BTD5350SCPR、BTD5350SBWR、BTD5350SCWR、BTD5350EBPR、BTD5350ECPR、BTD5350EBWR、BTD5350ECWR、BTD21520MAWR、BTD21520MBWR、BTD21520SAWR、BTD21520SBWR、BTD21520EAWR、BTD21520EBWR、BTD21520MAPR、BTD21520MBPR、BTD21520SAPR、BTD21520SBPR、BTD21520EAPR、BTD21520EBPR、BTD25350MMBWR、BTD25350MMCWR、BTD25350MSBWR、BTD25350MSCWR、BTD25350MEBWR、BTD25350MECWR、BTL27523R、BTL27523BR、BTL27524R、BTL27524BR、BTP1521F、BTP1521P 。

二、 賦能前沿場景：從“零碳”到“算力”的底層基石

作為您的電力電子硬核戰(zhàn)友，我們不僅提供器件，更提供針對當前最火熱、最嚴苛拓撲的應(yīng)用級技術(shù)輸入。我們的產(chǎn)品已深度匹配以下核心場景：

AI數(shù)據(jù)中心與高頻通信電源（800V DC平臺）

針對算力中心供電與服務(wù)器交流側(cè)圖騰柱PFC，我們的 TOLL/TOLT封裝 SiC MOSFET 與 34mm模塊，可大幅推高開關(guān)頻率，極大縮減無源磁性器件體積，將系統(tǒng)級效率飆升至99%以上，為大模型算力提供極致的高功率密度供電心臟。
1500V/2000V光伏逆變器與大儲系統(tǒng)（PCS）

面對組串式大功率化趨勢與587Ah等大容量電芯的引入，E1B/E2B、ED3封裝及62mm全碳化硅模塊結(jié)合青銅劍三電平ANPC/NPC1驅(qū)動板，完美匹配100kW至MW級交直流變換，解決高壓直流側(cè)絕緣與高流排布的“坑”，保障25年以上全生命周期的高可靠性。
電動汽車超級快充（MCS / 6C充電）

兆瓦級超充對后級LLC與前級PFC提出極高要求。采用 62mm/34mm SiC模塊 配合帶米勒鉗位的 BTD5350Mx隔離驅(qū)動IC，能有效抑制高dv/dt帶來的誤導(dǎo)通，將模塊發(fā)揮到極致，實現(xiàn)模塊化、瘦高型、輕量化的超充樁設(shè)計。
先進能源路由器（SST）與固態(tài)斷路器（SSCB）

這是我們技術(shù)攻關(guān)的“深水區(qū)”。針對固態(tài)變壓器級聯(lián)H橋結(jié)構(gòu)與高頻隔離變壓器的需求，1200V SiC模塊（BMF540R12MZA3等）具備的低開關(guān)損耗特性，是實現(xiàn)中壓互聯(lián)與微電網(wǎng)能量調(diào)度的不二之選。
高端電焊機、感應(yīng)加熱與APF（有源電力濾波器）

在這些追求極速動態(tài)響應(yīng)的傳統(tǒng)工業(yè)應(yīng)用中，碳化硅器件的替換可使設(shè)備重量與體積下降40%-50%，引領(lǐng)工業(yè)裝備的新一輪“瘦身”與效能革命。
我們傾佳團隊（蘇州及西安等地辦公室）不僅能夠為您提供及時的樣片申請和供應(yīng)鏈保障，還能通過我們熟練的 PLECS/MATLAB 仿真技術(shù)，在您研發(fā)初期為您提供包含損耗評估、熱阻計算、驅(qū)動參數(shù)調(diào)優(yōu)在內(nèi)的保姆級技術(shù)協(xié)助。

大江東去，浪淘盡。功率半導(dǎo)體的“碳化硅武林”正風(fēng)起云涌。如果您目前正在進行相關(guān)高壓、高功率拓撲的項目預(yù)研或產(chǎn)品選型，歡迎隨時與我聯(lián)系。

期待與您在電力電子的創(chuàng)新之路上并肩同行！

劉占輝

華東區(qū)業(yè)務(wù)負責(zé)人

傾佳電子（Changer Tech）—— 基本半導(dǎo)體授權(quán)一級代理商